《表1 测试值与理论值比较》

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《基于HV-CMOS工艺集成PIN光敏元的CMOS传感器设计》

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PIN光电二极管的电荷转换增益及暗电流的测试值与理论值对比如表1所示，其中电荷增益的理论值使用公式q/Cpd来计算。测试的电荷转换增益明显低于理论值，原因有两方面:一是读出电路的寄生效应造成的电路增益明显低于仿真值；二是像素复位管及跟随管的寄生电容使像素的结电容明显增大。