《表3 高功率电子脉冲对电子设备电磁损伤阈值》

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《基于Biexponential基电流传输线通道模型的地闪回击近场电磁环境》

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目前，尚缺乏单次强电磁脉冲对电子设备造成损伤的专用标准，文献[30]中给出了持续高功率电子脉冲对电子设备造成电磁损伤的阈值，将表2中近场区LEMP电磁能流密度峰值与表3中阈值进行对比，发现近场区LEMP对电子设备的电磁损伤已经达到“损毁”级别，若近场区LEMP直接作用在未加屏蔽的电子设备上，将对其造成不可逆的损伤。