《表1 质子注量及其等效电离总剂量与等效位移损伤剂量Tab.1 Proton fluence, TID and DDD》

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《3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为》

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采用能量为3MeV的质子对背照式CMOS图像传感器进行辐照，辐照试验在北京大学重离子物理研究所的串列静电加速器上进行，该加速器可提供能量为1～10MeV的质子束流。试验时，偏置条件为不加偏置。选取的质子注量及其等效电离总剂量（total ionization dose，TID）和等效位移损伤剂量（displacement defect dose，DDD），如表1所列。非辐照区域用铝片进行屏蔽。辐照完成后，依次对器件进行室温退火、100℃退火和150℃退火，退火阶段的所有参数测试均在中国科学院新疆理化技术研究所的光电参数测试平台上完成。