《表2 Ce Si2与初生Mg2Si相点阵错配度δ计算表》

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《Ce对Mg-3Al-2.5Si合金中初生Mg_2Si相的变质作用与机理》

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Ce Si2是四方结构[11]，其点阵常数a=0.415 6 nm，c=1.384 nm。Mg2Si是面心立方结构[12]，其点阵常数a=0.635 1 nm。图6为Ce Si2的低指数面（001）与结晶相Mg2Si低指数面（100）、（110）和（111）的点阵错配情况，根据公式（1）计算得到点阵错配度，如表2所示。从表2的计算结果可以看出，初生Mg2Si的（100）面在CeSi2的（001）面上形核的点阵错配度仅为7.46%，这符合BRAMFITT提出的6%<δ<15%的异质核心中等有效条件。由此可见，CeSi2作为初生Mg2Si相的异质形核核心完全是可能的。