《表2 不同left尺寸下N/PMOS电参数》

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《LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用》

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本文采用该套PDK中1.1 V RVT薄栅氧N/PMOS器件，沟道宽长比为1μm/0.04μm，SA和SB的值为120nm，假设left/right/top/bottom的值一致，其值有效范围为300nm至2μm，栅源电源为1.1V，从0V到1.1V直流扫描漏源电压，分别测试left在0.3μm、0.5μm、1μm、1.5μm和2μm条件下的Idsat和VTH.测试结果如表2所示.根据表2绘制器件电参数与WPE的对应关系，如图5所示.