《表2 还原后催化剂Cu LMM XAES分峰计算结果》

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《Ga_2O_3改性Cu/SiO_2催化剂降低水蒸气催化重整产物中CO选择性》

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图6a为还原后x Ga-Cu/SiO2催化剂的Cu 2p XPS谱图。一般结合能为932.7和952.5 eV的峰对应于Cu 2p3/2和2p1/2峰，而结合能在942–945 eV范围内的震激峰为Cu2+的特征峰45，47。图中在942–945 eV范围内没有出现震激峰，说明Cu2+已被完全还原为Cu+或Cu0（或Cu+和Cu0）物种。随着Ga负载量的增加，Cu 2p3/2峰从932.7 eV迁移到933.1eV，向高能方向偏移。图6b为还原后x Ga-Cu/SiO2催化剂的Ga 2p XPS谱图，结合能在1118.7 eV的峰为Ga 2p3/2峰48，在此处的结合能表示Ga在催化剂表面上以Ga3+形式存在。由于在XPS谱图中Cu+和Cu0结合能的位置一致，我们采用Cu LMMXAES谱图来计算还原后x Ga-Cu/SiO2催化剂表面的Cu+和Cu0物种的含量。如图S2（Supporting Information）所示，经过分峰处理之后，动能在915和918 eV附近的峰分别为Cu+和Cu0的特征峰47。分峰结果列于表2中，可以看出随着Ga负载量的增加，Cu+的含量逐渐上升，说明Ga与Cu物种之间的强相互作用可以调变Cu+和Cu0的比例，当Ga的负载量为5%（w，相对于Cu的质量分数）时，Cu+和Cu0大约各占50%。由Cu LMM XAES结果计算的Cu物种的还原度如表S1所示，随着Ga的负载量的增加，Cu物种的还原度逐渐降低，此结果与由H2-TPR计算得出的还原度变化规律一致。