《表1 几种低噪声放大器的性能参数比较》
注:S表示仿真结果,M表示测试结果,*表示功率增益。
表1给出了设计的分布式低噪声放大器与其他文献中低噪声放大器的性能参数比较。可以看出,与同样采用65nm CMOS工艺设计的非分布式结构的LNA相比,本文DLNA的噪声性能略差,但具有更大的增益和带宽。与其他DLNA相比,本文DLNA具有更好的噪声性能,虽然带宽较窄,但能够满足5G无线通信系统的应用要求。
图表编号 | XD0037904200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 张瑛、李泽有、李鑫、耿萧 |
绘制单位 | 南京邮电大学电子与光学工程学院&微电子学院、南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室、南京邮电大学电子与光学工程学院&微电子学院、南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室、南京邮电大学物联网学院、南京邮电大学电子与光学工程学院&微电子学院、南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室 |
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