《表4 TPB2材料特性表》
MnZn软磁铁氧体的饱和磁通密度Bs理论上可达到600 mT,实际上,现在无论在常温25℃还是高温100℃下,都低于500 mT。从2003年开始,开始了提高MnZn铁氧体饱和磁通密度Bs的研究热潮[23]。FDK公司的4H45材料,100℃下Bs为450m T,4H47材料的Bs为470 mT,两种材料100℃下的功耗分别为450 m W/cm3、650 m W/cm3[24]。在国内,浙江天通公司研发出了TP系列高Bs低损耗MnZn功率铁氧体材料,TPB2材料性能如表4所示。
图表编号 | XD00349000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.11.01 |
作者 | 周丽波、梁迪飞、李维佳、王云、袁玉灵、吴潘 |
绘制单位 | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件 |
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