《表4 TPB2材料特性表》

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《无线充电用磁屏蔽材料》


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MnZn软磁铁氧体的饱和磁通密度Bs理论上可达到600 mT,实际上,现在无论在常温25℃还是高温100℃下,都低于500 mT。从2003年开始,开始了提高MnZn铁氧体饱和磁通密度Bs的研究热潮[23]。FDK公司的4H45材料,100℃下Bs为450m T,4H47材料的Bs为470 mT,两种材料100℃下的功耗分别为450 m W/cm3、650 m W/cm3[24]。在国内,浙江天通公司研发出了TP系列高Bs低损耗MnZn功率铁氧体材料,TPB2材料性能如表4所示。