《表1 实验样品表Tab.1 Samples of the experiments》

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《915nm半导体激光器新型腔面钝化工艺》

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将制备好的915 nm半导体激光器晶片减薄抛光，最终厚度为120μm，在空气中将减薄抛光过的晶片解理成矩形。分别将解理成矩形的晶片再进行解理，样品A在空气中进行解理，样品B和样品C分别在高真空中解理并且钝化，钝化膜材料分别为Si和Zn Se，钝化膜厚度为25 nm。样品A、B、C前后腔面蒸镀光学膜相同，前腔面反射率为4%，后腔面反射率为95%。如表1所示。