《表3 镉胁迫下硅对不同时期烤烟各部位镉含量的影响Tab.3 Effect of silicon on cadmium content in different parts of flue-cured

《表3 镉胁迫下硅对不同时期烤烟各部位镉含量的影响Tab.3 Effect of silicon on cadmium content in different parts of flue-cured   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《镉胁迫下硅对烤烟生长及生理特性的影响》


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注:同行不同小写字母表示同一镉水平下不同Si处理差异显著(P<0.05)。Note:Different lowercase letters in the same row indicate significant differences among Si treatments in the same Cd concentration level(P<0.05).

由表3可知,在不施硅处理下,烟株各时期根、茎、叶镉含量随着土壤镉浓度的增加而增加。Cd0处理下,与Si0处理相比,Si1处理团棵期烟株根、茎、叶的镉含量分别降低49%、20%、24%,旺长期烟株根、叶的镉含量分别降低53%、23%,现蕾期叶的镉含量降低56%,成熟期烟株根、叶的镉含量分别降低48%、42%;Si2处理旺长期烟株根的镉含量降低42%,现蕾期叶的镉含量降低61%,成熟期烟株茎、叶的镉含量分别降低33%、44%;Si4处理团棵期烟株根的镉含量降低16%,现蕾期、成熟期叶的镉含量分别降低53%、25%。Cd1处理下,与Si0处理相比,Si1处理团棵期烟株根的镉含量降低13%,旺长期烟株叶的镉含量降低11%,成熟期烟株茎、叶的镉含量分别降低29%、32%;Si2处理团棵期烟株根、茎的镉含量分别降低28%、10%,旺长期烟株根、叶的镉含量分别降低20%、16%,成熟期烟株根、茎的镉含量分别降低33%、35%;Si4处理团棵期烟株根、茎的镉含量分别降低28%、16%,旺长期烟株根、叶的镉含量分别降低23%、20%,成熟期烟株根、茎、叶的镉含量分别降低18%、25%、29%。Cd5处理下,与Si0处理相比,Si1处理团棵期烟株茎的镉含量降低6%,旺长期烟株根、茎、叶的镉含量分别降低11%、9%、16%,现蕾期烟株根、茎的镉含量分别降低47%、22%;Si2处理团棵期烟株根、茎、叶的镉含量分别降低8%、15%、10%,旺长期烟株茎、叶的镉含量分别降低13%、19%,现蕾期烟株根、茎、叶的镉含量分别降低52%、31%、23%;Si4处理团棵期烟株根、茎、叶的镉含量分别降低21%、7%、23%,旺长期烟株茎的镉含量降低8%,现蕾期烟株根、茎、叶的镉含量分别降低48%、23%、31%。可见,0 mg/kg镉处理下,在土壤中施入1 g/kg硅会抑制烟株各时期根、茎、叶对镉的吸收;1 mg/kg镉处理下,在土壤中分别施入2、4 g/kg硅在一定程度上会抑制烟株对镉的吸收;5 mg/kg镉处理下,在土壤中施入1、2 g/kg硅会抑制烟株生长前期、中期对镉的吸收,但促进成熟期烟株对镉的吸收。