《表1 GO、NH-RGO, VC-RGO的电阻率》

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《改良氧化还原法制备石墨烯及其电学性能研究》

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采用ST2263型四探针测试仪测试GO、NH-RGO、VC-RGO的电阻率，测试结果见表1。由表1可知，GO的电阻率明显高于石墨烯。原因是石墨在强氧化剂缓慢氧化的过程中，氧原子结合到石墨层间，攫取可移动的π电子使层面内的π键断裂，形成C—O，CO等含氧官能团，破坏了石墨原有的晶体结构[18]。石墨的氧化程度越高，电阻率越大。从表1还可以看出，GO方差为35.58，说明其电阻率波动性较大，表明GO结构不是均匀稳定的，存在较多缺陷。NH-RGO和VC-RGO电阻率都非常小，但仍高于石墨烯的理论电阻率值。因为NH-RGO和VC-RGO中含氧官能团虽然大面积减少，但没有完全去除，另外石墨经氧化还原后晶体结构不再完整，无序性增加也是导致其电阻率较高的原因。VC-RGO的电阻率总体上还是略低于NH-RGO，其方差为4.47×10-7，比NH-RGO（方差为6.95×10-7）更小。由此可见，使用维他命C还原的GO更为彻底，结构更完整，性能更优。