《表2 30℃下PI的电老化阈值场强》

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《基于理化分析的热老化聚酰亚胺薄膜的电导特性》

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由表2可知，试样电老化阈值场强随着热老化程度的加深而下降，这与陷阱数量的增加和原有陷阱的陷阱深度增加相关，一方面热老化过程中形成新的孔洞缺陷，导致陷阱数量增加，增大载流子被陷阱俘获的可能性；另一方面是因为热老化后原有陷阱的深度增加，PI在热老化过程中原有陷阱主要发生的是热解反应[29-30]，对材料结构造成较大破坏，原有陷阱的深度增加，注入的载流子容易被深陷阱俘获，更容易积聚空间电荷，导致电老化阈值场强降低。