《表1 单个氧原子形成氧化物和固溶体中的焓变[13-16]》
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《MEMS器件真空封装用非蒸散型吸气剂薄膜研究概述》
由于-T(ΔSss-ΔSox)为负,所以形成氧化物和固溶体的焓变的差值大小就决定了式(3)能否成立,表1即为单个氧原子在第ⅣB和ⅤB族元素中的ΔHox和ΔHss。对于Ti和Zr,ΔHox>ΔHss,式(3)总是成立,即在任何温度下氧的溶解都是允许的,直到其含量达到溶解度。对于Hf、V、Nb和Ta,ΔHox<ΔHss,由于ΔHox和ΔHss的差值较小,当温度T高于某值时式(3)才会满足,即只有在高于某临界温度时才允许形成固溶体。
图表编号 | XD0029115600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.10 |
作者 | 周超、李得天、周晖、张凯锋、曹生珠 |
绘制单位 | 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室、兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室、兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室、兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室、兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室 |
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