《表1 克隆存活曲线参数》

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《100MeV质子对A375细胞存活率的影响》

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图1为获得的细胞克隆存活曲线，结果表明，随着辐照剂量的增加，100 MeV质子和γ射线均诱导A375细胞存活率下降，相同剂量下，质子致A375细胞存活率略高。表1为使用线性二次方模型S=e-（αD+βD2）拟合得到的参数，结果表明，100MeV质子的单击效应（α参数）导致A375细胞死亡比率略高于γ射线，说明质子辐照后A375细胞基因组DNA的稳定性下降，修复能力下降；根据37%细胞存活所需的照射剂量，可得100 MeV质子的RBE值为1.09，这与目前235MeV质子治疗中使用的1.1的RBE值一致。此外，与13.7MeV质子对比的结果表明，质子LET增加，对细胞的杀伤性也随之更高，这符合一般规律。由此可见，100MeV质子回旋加速器目前建立的辐照实验条件是可靠的，可进行辐射生物学效应研究。