《表1 CE/Si C复合体系固化过程的DSC数据》

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《氰酸酯树脂/γ-巯丙基三甲氧基硅烷改性碳化硅复合材料的制备及性能研究》

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表1为纯CE以及CE/SiC复合体系固化过程的DSC数据。由表1可知，随着改性Si C粉体含量（wt，质量分数，下同）的增加，峰顶温度逐渐降低；当体系中Si C的质量分数达到7%时，峰顶温度由296.7℃降至256.3℃。说明改性SiC对CE固化反应有一定的催化作用，这种促进作用主要来自于以下方面:Si C粉体由于粒径小，表面不饱和残键较多，虽然经KH-590改性，SiC粉体实现了表面有机化，但有机链端并未完全饱和其表面的Si—C残键，这些不饱和键的存在起到了诱导引发作用，导致CE树脂单体的聚合温度降低，有利于CE单体的聚合[7]。