《表2 阻抗分析仪测量结果Tab.2 Impedance analyzer measurement results》

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《碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化》

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由图13中幅频和相频曲线可看出单层线圈在1~2 MHz范围内相角都在85°以上，双层线圈在100~200 k Hz范围内相角都在85°以上。所以可通过该低频段阻抗计算得L的数值。然后通过电感的谐振频率即相频曲线过零点对应的频率，得到电感杂散电容的实际值，如表2所示。受限于手工绕制工艺，电感值无法准确达到480μH，所以理论计算与实验测量结果存在一定差异，但无论是理论值还是实际值，单层空心电感的杂散电容值都远小于双层空心电感的杂散电容值。