《表2 方阻测量结果Tab.2 Result of Rs measurement (Ω/□)》

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《光刻法图案化石墨烯研究》

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通过对石墨烯膜方阻升高机理的分析，在后续的工艺过程中，在影响方阻的关键环节进行了逐一测试分析，通过研究发现:显影工艺、剥离工艺对石墨烯方阻升高有直接影响，湿法刻蚀工艺对石墨烯方阻升高有明显的改善作用，于是优化工艺过程。即在光刻前，预先沉积一层金属层，保护石墨烯膜，在剥离后，增加湿法刻蚀工艺，活化石墨烯膜的表面，从而恢复石墨烯膜的方阻。各单元的方阻测试结果见表2。