《表4 输入端内部并联和外部并联结构的共模抑制比测试数据》
通过实际反复测试发现,在内部并联结构中,由于CM和DM分离器分别安装于PCB的正反面,因此两者之间会产生相互的电磁耦合和电路耦合,对两者的抑制比产生影响。为了验证,本章对输入端内部并联和外部并联两种连接结构进行对比测试,结果分别如表4和表5所示。输入端外部并联结构的实验样机如图4所示。根据表4和表5绘制的曲线如图5所示。根据测试结果得到以下认识:
图表编号 | XD0022919800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.12.25 |
作者 | 区健昌、周阔 |
绘制单位 | 北京理工大学、北京泰派斯特科技发展有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |