《表2 不同处理模式下植物生物量测量结果》

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《电场强化博落回修复铀镉复合污染土壤机理》

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注:数据为平均值±标准偏差（n=3），同一列不同小写字母表示组间具有显著差异（P<0.05）.

由表2可见，与相同条件下未施加电场相比，施加直流电场后，博落回株高（DC+CK组无显著差异）、地上部分生物量和总生物量均显著性升高（P<0.05），分别升高了37.32%～38.69%、17.15%～38.74%和15.33%～29.88%.实验结果表明，施加适量的直流电场有利于促进博落回的生长，其原因可能是电场缓解了重金属对植物的迫害进而促进了其生长[16].这与Cang等[17]研究一致，其研究结果表明在低电场强度作用条件下（1V/cm），植物的地上部和根部生物量都是最高的，尤其是根部生物量的差异达到了显著水平，这表明较低的电场强度促进植物的生长正常.生长的植物体内都有一股微电流，在原生质体的细胞表面常带有负电荷，若施加适宜的外电场，则能够提高细胞表面的负电荷量，从而促进细胞繁殖[18].此外，博落回的生物量在U胁迫下较Cd胁迫下高17.87%～18.79%，在U、Cd共同胁迫下较单一Cd胁迫下高13.90%～33.36%，这说明Cd对植物毒性大.Cd进入植物体内会干扰光合色素和可溶性蛋白的合成，造成植物细胞膜的损伤等，从而抑制植物的生长[19]，而在U、Cd共同胁迫下，U、Cd之间的竞争作用，在一定程度上缓解了Cd对博落回的毒害，导致了博落回在U、Cd共同胁迫下比单一Cd胁迫下生长更好，因而在U、Cd共同胁迫时，博落回较单一Cd胁迫时生长更好.在施加直流电场后博落回整株生物量显著高于未施加电场组（P<0.05），表明施加0.3V/cm的电压不会影响博落回的正常生长，还会有利于其生长，这为采用电场强化博落回修复U、Cd污染奠定良好的前提条件.