《表2 BmSi及复合材料样品的Rs和Rct值》

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《硅/碳纳米管/碳复合材料的制备及其电化学性能研究》

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BmSi及复合材料样品的EIS谱图见图8，拟合分析结果见表2。从图可以看出，复合材料样品的奈奎斯特曲线均由1个高频半圆和1条中低频斜线组成。高频半圆的等效半径可以反映电极材料与电解质界面的电荷转移阻抗（Rct）。根据等效电路拟合图[8]（见插图）可知，拟合前后曲线一致，误差小。从表2可知，BmSi@MWCNTs@C-1、BmSi@EM@C-1、BmSi@EG@C-1和BmSi的Rct值分别为270.9Ω、332.8Ω、251.7Ω和370.3Ω。与BmSi相比，3个样品的Rct值均有所下降，由此可说明MWCNTs和EG的引入使得材料的界面电荷转移更容易，复合材料中BmSi@MWCNTs@C-1的界面电荷转移最容易，说明其最容易发生电化学反应。