《表2 Bm Si和硅/碳复合材料的Rs和Rct值》

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《喷雾干燥法构建硅/碳复合材料及其电化学性能研究》

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为了验证材料的电化学性能，了解材料的界面性质，对材料进行了电化学交流阻抗测试。图6为Bm Si与不同方法制备的复合材料的等效电化学交流阻抗图，从图中可以看出各材料的Nyquist曲线由高频率的半圆和中低频的斜线构成，高频处半圆的等效半径可反映该材料电极与电解液界面的传荷阻抗（Rct）。拟合参考文献中介绍的方法[15]，拟合前后曲线一致，误差小。从表2中可看出复合材料Bm Si@MWCNTs@C-2、Bm Si@EM@C-2和Bm Si@EG@C-2的Rct值分别为308.4Ω、264.1Ω和226.5Ω。相比Bm Si的Rct值，各复合材料的值均有所下降，由此可说明MWCNTs和EG的引入使得材料的导电性能变好，与前面电阻率的测试数据一致。