《表2 国外领军企业的专利技术分布(申请量/项)》

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《从专利视角解读碳化硅基镓氮的竞争格局》

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下面对国外领军企业涉及碳化硅基氮化镓的全球专利数据进行技术标引和专利数据分析，以明确其技术分布，从而揭示技术研发重点，如表2所示。可见，美国的CREE公司在衬底（9）、外延生长（10）、射频器件（10）、电子电力器件（11）、光电器件（18）均有一定数量的专利申请，其中以光电器件技术最为突出，这与CREE公司以LED起家，且多年专注于LED照明研究密切相关；日本的住友电气工业在衬底（13）、外延生长（10）、射频器件（23）技术方向的专利数量较多；法国的SOITEC公司专注于衬底（14）和外延生长（11）技术；三星在光电器件（21）技术的专利及重度高；德国的英飞凌重点发展电子电力器件（13）技术。