《表5 混合金属氧化物/碳纳米复合材料对比》

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《过渡金属氧化物在超级电容器中的研究进展》

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除此之外，Li[29]等人通过简单的共沉淀法在还原氧化石墨烯上生长出了鳞片形状的Co Mn2O4薄片（Co Mn2O4@r GO），在3 A/g放电电流密度下的比电容为1 000.8 F/g，1 000次充放电容量保持率为93.6%；然后他[30]通过相似的方法在还原氧化石墨烯上生长出了垂直超薄的锰酸镍纳米片（Ni Mn2O4@r GO），该复合材料纳米结构孔径适当，有很好的比表面积，展现了较高的比电容值，在3 A/g放电电流密度下的比电容为1 243 F/g，5 000次循环稳定性为80.8%。Shakir[31]也是通过共沉淀法将Ni Co2O4锚定在多层碳纳米管（CNTs）上，在1 A/g放电电流密度下的比电容为2 032 F/g，5 000次循环稳定性为96%，对比见表5。可以看出，混合过渡金属氧化物和导电性好的碳纳米材料复合最常用的方法就是共沉淀法，即先在碱性环境下生成过渡金属氢氧化物，然后经过后期煅烧生成对应的混合过渡金属氧化物，该方简单易行，而且较其他方法生产效率更高。