《表1 IBC太阳电池背面结构尺寸参数》

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《n型叉指背接触太阳电池背面结构参数研究》

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根据软件仿真结果，分别选取了两组IBC太阳电池相邻发射区宽度（1 200和1 600μm），在电阻率为1～3Ω·cm的n型单晶硅片上制备IBC太阳电池样片。关键工艺为：首先，用清洗和刻蚀工艺去除硅片表面的损伤层，使硅片的两面均刻蚀8～12μm，紧接着对硅片进行双面制绒处理；然后在硅片前表面进行硼扩散形成FFE结构，有利于少数载流子在前表面进行横向传输和收集；接下来采用光刻掩膜工艺在电池背面设计不同的p型发射区和n型BSF宽度的图形，经过高温扩散工艺分别形成p型发射区和n型背表面场；其次在电池正反面采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备SiNx减反射膜；最终印刷正负电极制成电池片。本次实验共8组样片，每组200片，分别标记为G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7和G8，表1所示为IBC太阳电池背面结构尺寸参数。