《表1 IBC太阳电池单元结构参数》

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《背表面沟槽型高效背接触太阳电池的输出特性研究》

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产业化IBC太阳电池单元结构和沟槽型IBC太阳电池单元结构如图1所示．两者除背表面结构不同外，其余结构参数相同．在仿真过程中，所选择的IBC太阳电池结构参数参考产业化电池结构参数，背表面沟槽结构IBC太阳电池可利用产业化低成本工艺（如激光退火、丝网印刷、热扩散、湿法制绒等）制备得到．兼顾N型单晶硅衬底对长波入射光的吸收系数及机械加工的成品率，衬底厚度选择为200μm；为评价背表面沟槽结构对低成本产业化太阳电池电学性能的改善效果，衬底少子寿命选择为50μs，衬底电阻率为2Ω．cm．基本结构参数如表1所示[5-7].