《表1 AlGaAs的组成成分Tab.1 Composition of AlGaAs》

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《AlGaInP红光LED的复合分布式布拉格反射镜的生长优化》

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AlGaAs的组分选取可参考表1中组分，虽然设计的反射中心波长是625nm，可选AlAs/Al0.4Ga0.6As材料做为DBR，但因Al0.4Ga0.6As处于间接带隙的过渡边缘，对640nm以下波段的光还有一定的吸收，Al组分超过0.45后，材料的间接带隙占主导，对多量子阱（MQW）发出的光会减弱很多，所以选择Al0.5Ga0.5As做为DBR的材料最为合适。最初的AlAs/Al0.5Ga0.5As DBR设计为15对，DBR谱线如图1所示，反射中心波长在610.5nm，谱线宽度为48.8nm，边沿的小峰为次级衍射峰。