《表1 不同磁序下不同位置的In掺杂相对能量变化》

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《In掺杂h-LuFeO_3光吸收及极化性能的第一性原理计算》

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In在h-Lu Fe O3的掺杂位置有两种，分别记为P1和P2[21]，如图1（a）所示.在包含30个原子的晶胞模型中，有4个P1位原子和2个P2位原子，首先讨论h-Lu1–x Fex O3最稳定的磁序.采用A型、C型、G型三种反铁磁结构和铁磁结构对相同的晶胞模型进行优化.为了得到最稳定的晶胞结构，以G型反铁磁序h-Lu0.833In0.167Fe O3能量为基准，比较了不同掺杂位置的In原子替换单个Lu原子对h-Lu Fe O3磁序的影响，并比较了相对总能量，结果如表1所列.结果表明，四种磁序中非线性G型反铁磁序的h-Lu0.833In0.167Fe O3能量最低，这与先前报道的计算结论一致[22]，且无论是P1位掺杂还是P2位掺杂均没有改变磁序.利用（1）式计算了不同掺杂位置的掺杂形成能: