《表3 不同光强下二线、四线填充因子》
填充因子反映在I-V曲线上即为曲线接近直角的程度,填充因子越大时,曲线及横纵坐标轴构成的图形越接近于坐标系内由开路电压及短路电流处的射线与横纵坐标轴形成的矩形[25]。由图2可知,随着光照强度的增加,二线接法I-V曲线越来越接近于一条直线,说明填充因子越来越小。而四线接法的曲线则均接近于矩形,填充因子较大。表3为不同光强下二线及四线测量方式填充因子的数值。当光照强度越大时,二线接法较四线接法填充因子降低的越多[26],光强为L1时,二线法填充因子较四线法降低幅度为12.66%,光强为L2时降低幅度为22.22%,光强为L3时降低幅度为40.96%,光强为L4时降低幅度为64.10%,降低的差值和幅度与光强基本呈线性关系。
图表编号 | XD00211655600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.01.28 |
作者 | 翟涵、谢华清、吴子华、张佳 |
绘制单位 | 南京理工大学能源与动力工程学院、南京理工大学能源与动力工程学院、上海第二工业大学工学部环境与材料工程学院、上海第二工业大学工学部环境与材料工程学院、上海第二工业大学工学部环境与材料工程学院 |
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