《表S1 His-CDs/GA-2与其它石墨烯基电极比电容的比较》

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His-CDs/GA-2在不同扫描速率下的CV曲线列于图7(a),当扫描速率从5 m V·s–1增加到100 m V·s–1时,CV曲线形状并未发生明显变化,表明His-CDs/GA-2具有较低的电阻和良好的倍率性能。图7(b)为His-CDs/GA-2在不同电流密度下的GCD曲线。所有的GCD曲线均未出现明显的电压降,进一步说明His-CDs/GA-2具有出色的电荷转输能力。由公式(S1)计算出His-CDs/GA-2在电流密度1、2、3、5、10、20、30和50 A·g–1下的比电容分别为304、282、272、258、243、231、224和217 F·g–1。三电极体系下,与先前所报道的石墨烯基电极材料的比电容相比较(如表S1所示),His-CDs/GA-2展现出更高的比电容,表明其具备在高性能超级电容器应用的潜能。图7(c)为所有电极的倍率性能图。当电流密度从1 A·g–1增加到50 A·g–1时,His-CDs/GA-1、HisCDs/GA-2和His-CDs/GA-3的比电容保持率分别为65.4%、71.4%和62.3%,均高于GA(57.6%)。HisCDs/GA倍率性能的提高,主要归功于His-CDs增加了石墨烯片的层间距以及其边缘的含氮和含氧基团增强了活性材料的润湿性,从而加快了电解液离子的扩散[8,11]。图7(d)为GA和His-CDs/GA-2的循环性能图。GA和His-CDs/GA-2在10 A·g–1下,循环充放电30000次后,比电容保持率分别为90.8%和93.5%。结果表明His-CDs负载在石墨烯片上,提高了电极的循环稳定性。值得注意的是,His-CDs/GA-2在前6000次循环,其比电容损失率为4.9%,后24000次仅损失了1.6%。这主要是由于在前6000次循环中,His-CDs/GA-2表面不稳定活性基团的脱落导致了赝电容的损失。