《表1 不同PVDF质量分数(w(PVDF))的多孔高纯铝样品的Cdl和AECS》

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《微米级三维多孔高纯铝材料的制备与特性研究》

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当电压为0.25 V时，在不同扫描速率下，不同PVDF质量分数的多孔高纯铝样品充电电流差见图6，不同质量分数的PVDF多孔高纯铝样品的AECS见表1。从图6可见：PVDF质量分数为1%的多孔高纯铝样品的充电电流差曲斜斜率最大，为Cdl曲线斜率的2倍，故此时Cdl也最大（从表1可知为1.053μF）。由式（2）可知此时样品的AECS最大，并且随着PVDF质量分数增大，AECS曲线斜率逐渐减小，多孔高纯铝样品的Cdl和AECS也逐渐减小，AECS从275.588 cm2降到223.939 cm2。从前面分析可知，当PVDF质量分数在1%～4%范围内时，PVDF质量分数对多孔高纯铝样品的表面形貌无明显影响，不同PVDF质量分数的多孔高纯铝样品烧结程度相似，这说明此时AECS减小不是因为铝颗粒间结合程度增加使颗粒间重叠面积增加、总面积减小，而是因为在固质量分数固定条件下，PVDF质量分数增加意味着铝颗粒质量分数减少，而组成金属导电网络的铝颗粒数量减少，导致金属导电网络致密程度降低，从而导致多孔高纯铝样品的AECS减小。同时，由表1可见：样品的AECS都很高（大于220 cm2），这归因于细微铝粉末本身的表面积较高，以及将烧结阶段控制在烧结中期使烧结颈尺寸较小、孔隙互相连通，导致金属导电网络的有效表面积较高。