《表1 不同填充量下的PVDF/CCTO和PVDF/CCMTO(x=0.1)复合材料的击穿电压和储能密度》

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《PVDF/CaCu_((3-x))Mg_xTi_4O_(12)复合材料制备及介电性能》

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表1为不同填充量下的PVDF/CCTO和PVDF/CCMTO（x=0.1）复合材料的击穿电压和储能密度。从表1可以看出，PVDF/CCTO和PVDF/CCMTO复合材料的击穿电压和击穿场强随着填料量的增大都出现了降低趋势，当CCTO和CCMTO的含量增加时，复合材料的击穿场强变低。PVDF/CCTO和PVDF/CCMTO复合材料的储能密度随填料量的增大而增大，当填充量为60%时，PVDF/CCTO复合材料的储能密度为0.668，PVDF/CCMTO复合材料的储能密度为1.284。两种复合材料相比，击穿场强相差不大，但掺杂后的复合材料介电常数比未掺杂的要高，所以掺杂后的复合材料的储能密度几乎是未掺杂的一倍。