《表1 SD线边缘FIB分析》

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《ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善》

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图2为光刻胶剥离后聚焦离子束（Focused Ion Bea m，FIB）分析，圆点处为源漏电极层线边缘膜层残留测试位置。表1为FIB测试结果。从图2和表1可以看出，残留膜层主要成份为Si，推测为a-Si残留，个别样品有少量Al，推测源漏电极层线边缘金属特性发生变化，导致其在二次金属刻蚀时不能充分反应去除掉。