《表1 激光退火的金属氧化物TFT性能》

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《金属氧化物薄膜晶体管的激光退火》

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但激光退火诱导晶粒生长也可能对TFT性能造成负面影响。MitsuruNakata等人发现，激光诱导IGZO薄膜结晶后，载流子浓度过高，导致沟道耗尽层太宽，难以形成夹断，使IGZO-TFT关态电流（Ioff）太高，开关比（Ion/Ioff）降低[81]。另一方面，激光诱导结晶会可能会引起沟道的体积膨胀，造成TFT的漏电流增加，FuminobuHamano等人通过激光退火后的附加激光辐照工艺减少了这种膨胀效应，降低了器件的漏电流[82]。因此，需要激光退火合理地调控载流子浓度，才能提高TFT的性能。表1总结了合适的激光退火工艺对金属氧化物TFT性能改善的例子。