《表2 反角白光中子源注量占比》

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《SRAM型FPGA散裂中子源反角白光中子单粒子试验》

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XC6SLX150、XC6SLX16均为XILINX公司Spartan-6系列SRAM型FPGA，这两款器件都是45nm工艺。单粒子效应监测有动态和静态两种方法，考虑到JTAG接口回读数据的非实时性，本文采用的是静态监测方法。XC6SLX150配置了两套程序进行试验，XC6SLX16配置了一套程序进行试验。器件的基本信息见表1。辐照后回读FPGA的配置单元与辐照前配置单元的回读数据相比较，统计错误的Bit数。增加测量的单粒子事件数可以减少随机误差，因此本次试验要求发生的错误数均应大于100个错误数。同时，在试验过程中还对器件的电流进行监测，监测是否发生单粒子闩锁（SEL）现象。表2为反角白光中子源注量占比。