《表3 反角白光中子源单粒子试验结果》

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《SRAM型FPGA散裂中子源反角白光中子单粒子试验》

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XC6SLX150型FPGA执行LED＿150测试用例，共计辐照3673s，累计中子注量为2.9489×1010n/cm2，累计翻转数为1052次。XC6SLX150型FPGA执行RAM＿150测试用例，共计辐照4635s，累计中子注量为3.7068×1010n/cm2，累计翻转数为1413次。XC6SLX16型FPGA执行LED＿16测试用例，共计辐照4635s，累计中子注量为3.8698×1010n/cm2，累计翻转数为192次。试验过程中两款器件均未观察到SEL现象。图2为反角白光中子源FPGA配置位翻转错误数随辐照时间的变化情况。从试验结果可以看出，随时间变化，翻转错误数线性递增，趋势一致性较好，这与试验期间CSNS稳定供束的情况一致。图3为FPGA配置位翻转错误数示意图。试验结果见表3。