《表5 中等剂量率下概率模型的参数》
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《180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析》
对已发表的同型号芯片在中等剂量率63.3 Gy(Si）?h-1下的实验数据[11]进行同样的处理，实验数据如表4所示，结果如表5所示。
| 图表编号 | XD00198311800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2021.03.15 |
| 作者 | 刘一宁、杨亚鹏、陈法国、张建岗、郭荣、梁润成 |
| 绘制单位 | 中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
