《表2 X射线能量为8 ke V焦距2.564 mm波带片的环带结构参数》
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《基于原子层沉积技术的高精度多层膜X射线菲涅尔波带片的制备研究》
实际波带片结构设计除了要根据不同材料组合FZP的衍射效率模拟计算结果,还要考虑到叠层材料吸收特性的影响以及后续薄膜材料制备工艺匹配度问题。在相同的X射线能量下,Hf O2材料的吸收因子β远远小于Ir,即Al2O3/Hf O2材料组合FZP可以有效降低对X射线的吸收损耗。利用原子层沉积技术生长Al2O3、Hf O2和Ir材料时,Al2O3材料的温度生长区间为80℃至300℃,Hf O2材料的温度生长区间为90℃至350℃,两种材料之间有着较大的共同温度生长区间,可以最大化地同时调控叠层材料组合的生长规律。而原子层沉积技术生长材料Ir厚度较小时为颗粒态,必须在15 nm以上才能连续成膜,因此我们选择了Al2O3/Hf O2材料组合为FZP的叠层结构。针对X射线能量8 ke V材料组合为Al2O3/Hf O2的FZP,通过半径和焦距公式,计算得到了其结构参数如表1所示,并计算出了各环带的半径和相应的薄膜厚度如表2所示。
图表编号 | XD00197214100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.01.25 |
作者 | 吴鹿杰、文庆涛、高雅增、卢维尔、夏洋、李艳丽、孔祥东、韩立 |
绘制单位 | 中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研发中心、北京交通大学理学院、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研发中心、北京交通大学理学院、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研发中心、中国科学院大学、北京市微电子制备仪器设备工程技术研究中心、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研发中心、中国科学院大学、北京市微电子制备仪器设备工程技术研究中心、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研发中心、中国科学院大学、北京市微电子制备仪器设备工程技术研究中心、中国科学院电工研究所、中国科学院大学、中国科学院电工研究所、中国科 |
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