《表1 不同铜绕组在150k V~300k V电压下的X射线典型剂量率 (Gy/h) 参数表》

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不同铜绕组在150k V~300k V电压下的X射线典型剂量率如表1所示，可知在此区间出现了明显的过饱和电压，即在该管电压下剂量探测仪的剂量率为9.99μGy/h。表2为透照不同厚度绕组的饱和电压，可以看出透照绕组饱和电压随绕组厚度的增加而增加，且曾直线上升的趋势，图2厚度—过饱和电压的关系曲线，测试数据的线性相关性较好，为可拟合为式（2），其中VB为过饱和电压，H为绕组厚度。