《表1 金属氧化物紫外探测材料及器件性能》

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《氧化物基紫外探测器的研究进展》

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近年来，新型宽禁带金属氧化物半导体材料的出现为紫外探测器的研究与发展提供了新的路径和方向。据相关文献报道[8-10]，可以看出，基于氧化物半导体材料所制备出的探测器具有传统的Si C基和Ga N基探测器没有的优点，诸如不易氧化、尺寸小、反应灵敏、易操作等，使得氧化物的制备及其器件的研究逐渐成为光电探测领域的研究热点。表1[11-17]列举了几种典型金属氧化物紫外探测材料（包括Zn O、Ga2O3、Ti O2、Sn O2、In2O3、Sm2O3和Cd O等）及其探测器件的主要性能指标；根据列出的数据可以预见，在不久的将来基于金属氧化物的紫外探测器具有很大的应用前景。