《表1 SD成膜设备和Strip0设备间黑点不良发生情况验证实验》

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《ADS产品磁控溅射法制备SD层的膜层黑点》

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实验测试在TFT-LCD Array工厂进行。由于黑点不良发生有很大的偶然性，但最早在SD成膜之后发现，且发生的位置均在1st ITO Pattern位置或其边缘，推断不良和SD成膜设备及1st ITO层相关制程工序和设备有关。分别以SD成膜设备和1st ITO层各制程工序机台为基础设计实验，验证不同工序和机台之间发生率间关系及差异性，找出不良产生的影响工序。如表1所示，为不同SD成膜设备和1st ITO湿法剥离工序（即Strip0工序）各设备间黑点不良发生与否的实验设计。