《表3 提高刻蚀选择比后氮化硅损伤情况》
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名：随高清版一同展现
《降低大面阵CCD多晶硅刻蚀对氮化硅损伤的非均匀性》
多晶硅对氮化硅的刻蚀选择比，由工艺优化前的刻蚀选择比为18.6:1提高到接近70:1。从表3看出，通过提高刻蚀选择比，使得栅介质的损伤程度降低，非均匀性也得到了改善。
| 图表编号 | XD00193190400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2021.02.20 |
| 作者 | 袁安波、杨修伟、何建强、向华兵、方刚 |
| 绘制单位 | 重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
