《表1 不同保护层的IGZO TFTs关键参数表》

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《保护层对背沟道刻蚀型金属氧化物IGZO TFT性能的研究》

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完成整个TFT器件制备之后，在300℃空气中退火一个小时。除保护层之外，其他制备工艺和测试条件完全相同。图4为采用不同的保护层工艺制备的TFT转移特性曲线，表1是从图4提取出TFT转移特性曲线的关键参数。