《表1 探头与TSV的材料属性Tab.1 Material properties of probe and TSV》
图3是TSV GS结构模型示意图,以两个TSV作为研究对象,一个作为信号TSV,一个作为地TSV,建立等效电路模型。表1和表2为相关参数及材料特性,表1中μr,TSV为TSV相对磁导率,εr,Si为Si相对介电常数,ρTSV为TSV电阻率,εr,ox为Si O2的相对介电常数,εr,IMD为介电层相对介电常数,μr,Bump为凸点相对磁导率。
图表编号 | XD00188424800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.03.03 |
作者 | 尚玉玲、尹宝山、谈敏 |
绘制单位 | 桂林电子科技大学电子工程与自动化学院、桂林电子科技大学电子工程与自动化学院、桂林电子科技大学电子工程与自动化学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |