《表2 A组与坩埚埚盖接触表面沉积物主要谱峰相对强度》

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《PVT方法下AlN烧结工艺坩埚盖处氧杂质沉积行为研究》

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分析图5（b），可以发现B组坩埚埚盖沉积物内表面中心的XRD图谱与A组图谱存在较明显差异。虽然两者的主要谱峰峰位相同，但2θ在31.854°、45.666°及60.545°等三处氧杂质谱峰相对强度显著提高。以各图谱中AlN相最强峰（100）向谱峰（2θ=33.237°）为基准，对两幅图谱主要谱峰的相对强度进行了统计，如表2、3所示。