《表1 轴电压仿真高频参数》

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《基于全SiC MOSFET的轨道交通牵引逆变器高频负面效应分析及其应对策略》

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搭建图9所示的轴电压高频仿真模型，等效分析采用IGBT和SiC器件时车载牵引电机轴承电压；仿真建模时逆变器采用SPWM控制。其中，IGBT器件的开关时间为1μs，开关频率为500 Hz；SiC器件的开关时间0.2μs，开关频率为2 kHz，模型中分布参数通过阻抗测试估算获得，高频参数如表1所示，仿真结果如图10所示。