《表2 不同扰动时间与扰动长度下导体的能量裕度(@B=14.43T,ε=-0.7%)》
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《中国聚变工程实验堆纵场超导磁体高性能Nb_3Sn CICC导体稳定性分析》
高性能Nb3Sn CICC导体在不同扰动长度与扰动时间下的稳定性能量裕度见表2。为了反映最不利条件下导体的稳定性裕度,计算条件取峰值磁场强度14.43T,有效应变在预计区间内取最大值-0.7%,考虑到对导体低温系统的要求,氦质量流量取12g/s。采用逼近法确定临界值,控制误差在1‰以下。值得注意的是,在14.43T磁场以及-0.7%有效应变的最极端工况下,扰动长度和时间都较长的电磁扰动对应的能量裕度较小,最低仅有11.41m J/cc,这意味着较小的输入能量即有可能引起导体局部失超。如何改善恶劣工况下高性能Nb3Sn CICC导体局部能量裕度下降严重的问题,是CFETR纵场磁体亟待解决的。
图表编号 | XD00186678700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.12.25 |
作者 | 张正硕、郑金星、宋云涛、刘旭峰、陆坤 |
绘制单位 | 中国科学院等离子体物理研究所、中国科学技术大学、中国科学院等离子体物理研究所、中国科学院等离子体物理研究所、中国科学院等离子体物理研究所、中国科学院等离子体物理研究所 |
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