《表2 τ1对VFTC上升时间的影响》

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《GIS隔离开关特快速瞬态过电压试验重复击穿全过程仿真模型研究》

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式（2）中：Ri为绝缘电阻，文献中普遍认同取1012Ω；τ1为击穿时间常数，τ1与VFTC波形的上升时间相关，文献中普遍认同取几个ns。文中针对τ1的不同取值，在252 kV GIS操作试验回路的暂态仿真电路进行测试，见表2。