《表3 纤维宽度区间分布：氧化锡电极侵蚀性能的研究》

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《氧化锡电极侵蚀性能的研究》

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在1600℃、48h温度制度下进行通电静态侵蚀和动态侵蚀，观察侵蚀方式对氧化锡电极的侵蚀情况。表3可以看出实验方式不同，氧化锡电极的侵蚀量不同，相同温度制度下动态侵蚀量明显大于通电静态状态下的侵蚀量。据液晶玻璃基板的性能要求和生产的工艺技术要求，其配合料指标控制极其严格，在所使用的配合料中没有多价氧化物，比如Cu O、Mn O2、Pb O等，在氧化锡电极使用过程中，不存在与二氧化锡反应及烧结成固溶物[5]。因此在TFT玻璃熔融过程中，氧化锡电极的侵蚀主要来源于温度和玻璃液流动，一方面Sn O2在1300℃开始易生成Sn O，在1600℃以上易于升华挥发；另一方面氧化锡电极在热冲刷中会加快锡电极的损耗。