《表1 一些典型Pt基修饰电极的甲酸电催化氧化性能》

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《动态氢气泡/牺牲铜模板法制备蜂窝AuPt_(Cu)电催化剂用于甲酸氧化》

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图4A为相关电极在0.5 mol/L H2SO4水溶液中的CV表征图.3DHPN-AuPt Cu/Aupla/GCE上的H吸/脱附峰最大，表明其Pt活性位点最多.根据原子氢吸/脱附电量，对各电极的Pt活性面积（cm2pt）进行了测算（转换因子为210?C·cm-2）[30～32]，结果为3DHPN-AuPt Cu/Aupla/GCE（1.08 cm2pt）>Pt Cu/Aupla/GCE（1.03 cm2pt）>Pt/Aupla/GCE（0.82 cm2pt）>3DHPN-AuPt/Aupla/GCE（0.8 cm2pt）>Nafion/Pt/C/Aupla/GCE（0.28 cm2pt）.图4B为所制电极在0.2 mol/L HCOOH+0.5 mol/L H2SO4水溶液中的CV图.3DHPN-AuPt Cu/Aupla/GCE上具有最大阳极峰电流和Pt的面积比电催化活性（SECA，表示为氧化峰电流密度）（13.3 m A和12.5 m A·cm Pt-2）.3DHPN-AuPt Cu/Aupla/GCE的氧化峰电流密度分别是3DHPN-AuPt/Aupla/GCE、Pt Cu/Aupla/GCE、Pt/Aupla/GCE和Nafion/Pt/C/Aupla/GCE的1.79、2.9、3.1和11.7倍，而3DHPN-Au/Aupla/GCE和3DHPN-Au Cu/Aupla/GCE对甲酸氧化的催化作用很弱.以上结果证实了采用DHBT和牺牲铜双模板法可制备出活性更高的电催化剂.在3DHPN-AuPt Cu/Aupla/GCE上，HCOOH的氧化主要通过脱氢路径，其根本原因可能在于Pt原子三邻近位的缺失，从而能抑制脱水路径[4].同时，Au原子的电子效应也有重要作用[33].与文献比较，3DHPN-AuPt Cu/Aupla/GCE具有突出的甲酸电催化氧化性能（表1）.