《表1 不同温度下试样的失重率、体积收缩率、显气孔率、表观密度、弯曲强度》

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《遗态SiC纤维织物结构陶瓷的制备及形成机理分析》

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多孔陶瓷强度（σ）可由σ=σ0exp（-bP）计算得出.式中:σ0为致密陶瓷的强度；P为多孔陶瓷的气孔率；b为比例因数，受孔的几何参数影响，一般为5~7.致密SiC陶瓷的弯曲强度为15.5 MPa，b取5，不同温度下的计算强度分别为0.94 MPa，0.63 MPa和0.42 MPa，低于遗态SiC纤维织物结构陶瓷的弯曲强度（见表1）.低强度是由遗态陶瓷的层状结构所致.同时理论计算表明多孔陶瓷强度随气孔率升高成指数下降，而遗态SiC纤维织物结构陶瓷的弯曲强度先减小后增大.这主要是陶瓷内多余的硅所致，烧结温度低于1 450℃时，多余的硅起到粘结SiC颗粒的作用；当烧结温度达到1 500℃时，熔融硅渗出，SiC颗粒间隙缩小，形成连续的网络结构导致强度增大.